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一种低W-W连接度W-Cu-Ni合金材料

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310410517.3
  • IPC分类号:B22F1/02;B22F3/14
  • 申请日期:
    2013-09-10
  • 申请人:
    北京理工大学
著录项信息
专利名称一种低W-W连接度W-Cu-Ni合金材料
申请号CN201310410517.3申请日期2013-09-10
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2013-12-04公开/公告号CN103418786A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B22F1/02IPC分类号B;2;2;F;1;/;0;2;;;B;2;2;F;3;/;1;4查看分类表>
申请人北京理工大学申请人地址
北京市海淀区中关村南大街5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京理工大学当前权利人北京理工大学
发明人刘金旭;张鸿雁;王迎春;李树奎;郭文启;赵紫盈
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种低W-W连接度W-Cu-Ni的合金材料,其具体制备工艺为:用化学镀的方法在微米级钨粉表面镀镍包覆层,将表面包覆镍层的钨粉与铜粉配料、混合,再对混合均匀后的粉末进行放电等离子烧结(SPS),制备出具有高致密度的低W-W连接度W-Cu-Ni合金材料。其优点在于:1.镍包覆层能提高钨相与铜相的界面结合强度,并起到活化烧结,降低烧结温度的作用,同时有利于提高材料的致密度;2.通过本发明所述的制备方法能够制备出致密度在97.5%以上和W-W连接度小于30%的W-Cu-Ni合金材料,材料具有良好的拉伸力学性能。本发明所述的W-Cu-Ni合金材料具有优异的力学性能,适用于航空航天和兵器领域。

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