一种液相合成KTP晶体前驱体的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310466564.X
IPC分类号：C30B7/14;C30B29/22
申请日期：
2013-10-09
申请人：
合肥师范学院

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专利名称	一种液相合成KTP晶体前驱体的方法
申请号	CN201310466564.X	申请日期	2013-10-09
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-02-19	公开/公告号	CN103590093A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B7/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B7/00 常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长（用熔融溶剂的入C30B 9/00）；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B 11/00；在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B7/14 由溶液中的化学反应生成的结晶化材料〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;7;/;1;4;;;C;3;0;B;2;9;/;2;2查看分类表>
申请人	合肥师范学院	申请人地址	安徽省合肥市经开区莲花路1688号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	合肥师范学院	当前权利人	合肥师范学院
发明人	胡静;李洁
代理机构	合肥天明专利事务所	代理人	奚华保

摘要

本发明公开了一种液相合成KTP晶体前驱体的方法。向KTP晶体中掺入Al3+后，可以提高KTP晶体的抗激光损伤阈值，但传统上采用固相法来合成KTP晶体的前驱体，掺Al3+量一直不高，当掺Al3+量在7%mol浓度时，晶体的结构发生了改变，很难生长出高质量的具有光学均匀性的Al:KTP型晶体。本发明采用液相法来合成KTP晶体的前驱体，可以提高掺Al3+量，为获得高质量的Al:KTP型晶体提供了方法和途径。本发明液相法合成掺杂KTP晶体的前驱体，当掺Al3+量在9%moL浓度之内，都不会明显影响KTP晶体结构，可以生长出高质量的掺Al:KTP型晶体。

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