加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

形成浅沟槽隔离结构的方法和浅沟槽隔离结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610029904.2
  • IPC分类号:H01L21/762
  • 申请日期:
    2006-08-10
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称形成浅沟槽隔离结构的方法和浅沟槽隔离结构
申请号CN200610029904.2申请日期2006-08-10
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2008-02-13公开/公告号CN101123204
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人刘明源;吴汉明;郭佳衢;郑春生
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人逯长明
摘要
一种在半导体器件中形成浅沟槽隔离的方法,包括:在半导体衬底上形成掩膜层;图案化所述掩膜层以露出对应沟槽位置的半导体衬底;刻蚀所述衬底形成沟槽并在沟槽中形成衬垫氧化层;在所述沟槽中轮流淀积第一绝缘介质和第二绝缘介质直至填满所述沟槽;对所述半导体衬底进行快速热退火处理;平坦化所述绝缘介质以形成浅沟槽隔离结构。本发明的浅沟槽隔离结构包括半导体衬底和衬底中形成的沟槽,沟槽中填充有绝缘介质,所述绝缘介质包括第一绝缘介质和第二绝缘介质,第一绝缘介质和第二绝缘介质彼此堆叠形成堆栈结构。本发明能够有效地控制浅沟槽隔离结构的应力,从而提高半导体器件的性能。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供