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半导体制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310370260.3
  • IPC分类号:H01L21/762
  • 申请日期:
    2013-08-22
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称半导体制造方法
申请号CN201310370260.3申请日期2013-08-22
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2015-03-18公开/公告号CN104425340A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3# 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人钟汇才
代理机构北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)代理人陈红
摘要
半导体制造方法,本发明提供了一种SOI衬底制造方法,在应用广泛且的体硅衬底上先后形成氧化硅层和CVD的硅材料层,然后,利用单次或者多次外延工艺,在衬底上形成多晶硅层,从而获得SOI衬底。通过控制外延工艺的参数,可以获得具有较大粒径的晶粒的多晶硅层,从而使所获得的SOI衬底能够用于0.13μm及以上技术节点的半导体器件制造。同时,本发明SOI衬底的制备工艺简单,成本较低。

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