加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

MOS器件以及静电放电保护电路

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN02813553.9
  • IPC分类号:H01L23/62
  • 申请日期:
    2002-07-01
  • 申请人:
    萨诺夫公司
著录项信息
专利名称MOS器件以及静电放电保护电路
申请号CN02813553.9申请日期2002-07-01
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2004-08-25公开/公告号CN1524294
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/62IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;6;2查看分类表>
申请人萨诺夫公司申请人地址
美国新泽西州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人萨诺夫公司当前权利人萨诺夫公司
发明人J·阿默;M·P·J·默根斯;P·C·尤伊维亚克;C·C·鲁斯
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司代理人戈泊;程伟
摘要
本发明揭示一种ESD保护电路(150),其包括一用于一具有被保护电路的半导体集成电路(IC)的同步偏压多指导通MOS器件。该ESD保护电路包括:一多指式NMOS晶体管(100),其中每一指均具有用于分别耦合于半导体集成电路的一I/O焊垫(20)与地(15)之间的一漏极及源极,以及一用于对该指施加偏压的栅极;一ESD检测器(310),其包含一PMOS晶体管(311),该PMOS晶体管(311)具有一用于耦合至半导体集成电路的I/O焊垫的源极及一耦合至半导体集成电路的一电源电压(90)的栅极;一寄生电容(900),其形成于半导体集成电路的电源线与地之间;一具有一第一二极管(321)的转移电路(320),其耦合于PMOS晶体管的漏极与NMOS晶体管每一指的栅极之间。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供