一种基于原位生长制备氢氧化镍‑氧化镍薄膜电极的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510810004.0
IPC分类号：H01B13/00
申请日期：
2015-11-20
申请人：
燕山大学

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专利名称	一种基于原位生长制备氢氧化镍‑氧化镍薄膜电极的方法
申请号	CN201510810004.0	申请日期	2015-11-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-04-06	公开/公告号	CN105469901A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B13/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B13/00 制造导体或电缆制造的专用设备或方法	IPC分类号	H;0;1;B;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	燕山大学	申请人地址	河北省秦皇岛市海港区河北大街西段438号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	燕山大学	当前权利人	燕山大学
发明人	樊玉欠;侯爵;梁丹阳;王慧娟;余文婷;郭壮;闫帅;李甄;马志鹏;刘宇;邵光杰
代理机构	秦皇岛一诚知识产权事务所（普通合伙）	代理人	续京沙

摘要

一种基于原位生长制备氢氧化镍‑氧化镍薄膜电极的方法，其主要步骤包括：首先，将金属镍基体清洗除尘、除锈、除油以获得清洁的镍表面；然后配制碱性电解液，主要原料为KOH或NaOH碱金属，其浓度为5‑300g/L；辅助原料为过氧化氢、氨水、碳酸钠、草酸钠、尿素、乙二醇中的一种，添加浓度为1‑20g/L；将电解液放入反应釜中，同时将干净的镍基体浸入电解液中；将反应釜置于马弗炉中在120‑250℃进行水热反应1‑96小时，使得金属镍表面发生氧化反应；最后，将水热后的电极取出、清洗干净并干燥，即可获得基于原位生长制备氢氧化镍‑氧化镍薄膜电极。该制备方法工艺简单，原材料廉价，易于操作，生产价格低，所制备的薄膜材料厚度可控，活性高，适合工业化大生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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