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一种基于RDL金属线的结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201821192504.8
IPC分类号：H01L23/522;H01L23/528
申请日期：
2018-07-25
申请人：
中芯长电半导体（江阴）有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种基于RDL金属线的结构
申请号	CN201821192504.8	申请日期	2018-07-25
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/522 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;8查看分类表>
申请人	中芯长电半导体（江阴）有限公司	申请人地址	江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	盛合晶微半导体（江阴）有限公司	当前权利人	盛合晶微半导体（江阴）有限公司
发明人	朱红波;周祖源;吴政达;林正忠
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	余明伟

摘要

本实用新型提供一种基于RDL金属线的结构，包括：晶圆，晶圆的上表面包括焊盘；干膜，干膜覆盖晶圆的上表面，且干膜中包括裸露焊盘的沟槽；金属层，包括第一子金属层及第二子金属层；第一子金属层位于干膜的上表面；第二子金属层位于沟槽的底部，第一子金属层与第二子金属层之间的沟槽具有裸露侧壁部，第一子金属层与第二子金属层由裸露侧壁部隔离。

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