一种优化边缘灵敏度的EIT传感器设计方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110660240.4
IPC分类号：A61B5/0536
申请日期：
2021-06-15
申请人：
中国人民解放军空军军医大学

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著录项信息

专利名称	一种优化边缘灵敏度的EIT传感器设计方法
申请号	CN202110660240.4	申请日期	2021-06-15
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-21	公开/公告号	CN113413149A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	A61B5/0536	IPC分类号	A;6;1;B;5;/;0;5;3;6查看分类表>
申请人	中国人民解放军空军军医大学	申请人地址	陕西省西安市长乐西路169号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军空军军医大学	当前权利人	中国人民解放军空军军医大学
发明人	施艳艳;田志威;付峰;杨滨;周怡敏;刘学超;李磊
代理机构	新乡市平原智汇知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	路宽

摘要

本发明公开了一种优化边缘灵敏度的EIT传感器设计方法，首先将n个电极放置在距患者双眉往上3cm的水平面上，并在前额中心与后枕中心各自放置一个电极作为固定电极，将其余电极以间隔弧长放置；将此均匀电极排布作为初始电极位置对患者进行初始成像，根据成像所显示的病变所处区域的不同对电极位置进行优化，将全部电极分为两组，分别进行移动，记录并保存RS、BR值；根据RS与BR值固定靠近病变位置的电极组到最优位置，在删除一定的数据后再根据RS与BR值固定另一远离病变位置的电极组到最优位置。本发明有效提升了边缘位置成像的质量，通过改变电极使更多的电流流经目标区域，从而提升灵敏度，使成像BR值更小，伪影更少。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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