一种超导腔用低温磁场补偿系统

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201921751126.7
IPC分类号：G01R33/00;G01R1/18
申请日期：
2019-10-18
申请人：
中国科学院高能物理研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种超导腔用低温磁场补偿系统
申请号	CN201921751126.7	申请日期	2019-10-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R33/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R33/00 测量磁变量的装置或仪器	IPC分类号	G;0;1;R;3;3;/;0;0;;;G;0;1;R;1;/;1;8查看分类表>
申请人	中国科学院高能物理研究所	申请人地址	北京市石景山区玉泉路19号(乙) 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院高能物理研究所	当前权利人	中国科学院高能物理研究所
发明人	米正辉;沙鹏;贺斐思;翟纪元
代理机构	北京君尚知识产权代理有限公司	代理人	司立彬

摘要

本实用新型公开了一种超导腔用低温磁场补偿系统，包括磁屏蔽筒体和测试吊架，所述测试吊架用于连接超导腔，将所述超导腔固定在所述磁屏蔽筒体内；其特征在于，还包括一励磁系统；所述励磁系统用于安装在所述超导腔上，对地磁场和超导腔工装设备的剩磁进行抵消或补偿。本系统能够降低超导腔区域的环境磁场，并可以实现超导腔磁场环境的灵活设置，进行超导腔的性能提升实验研究。

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