多层半导体晶片结构

发明专利有效专利

申请号：
CN200410033886.6
IPC分类号：--
申请日期：
2004-04-15
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	多层半导体晶片结构
申请号	CN200410033886.6	申请日期	2004-04-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2004-10-20	公开/公告号	CN1538506
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	苏昭源;曹佩华;李新辉;黄传德;侯上勇;郑心圃;蔡豪益;胡正明
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	马娅佳

摘要

一种多层半导体晶片结构，定义有闲置区域，其为限制测试键设置的区域，第一切割道与第二切割道为定义一芯片的转角点，且第一切割道与第二切割道为一多层结构，且多层结构中的至少一层为低介电常数的介电层。一闲置区域为定义于该第一切割道上，且该闲置区域的面积A1以下列公式定义：A1＝D1×S1，其中D1代表自该芯片的转角点起朝向该芯片的主要区域且沿该第一切割道延伸的距离，S1代表该第一切割道的宽度。另一闲置区域定义于该第一切割道与该第二切割道的交错处，且该闲置区域的面积As以下列公式定义：As＝S1×S2，其中S2代表该第二切割道的宽度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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