表面发射型半导体激光器及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN03153544.5
IPC分类号：H01S5/18;H01S5/183
申请日期：
2003-08-15
申请人：
富士施乐株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	表面发射型半导体激光器及其制造方法
申请号	CN03153544.5	申请日期	2003-08-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2004-06-30	公开/公告号	CN1508915
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;;;H;0;1;S;5;/;1;8;3查看分类表>
申请人	富士施乐株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	富士施乐株式会社	当前权利人	富士施乐株式会社
发明人	山本将央;樱井淳
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	李辉

摘要

提供一种表面发射型半导体激光器及其制造方法，该表面发射型半导体激光器包括衬底、形成在衬底上并包括第一导电类型半导体层的第一反射镜、包括第二导电类型半导体层的第二反射镜、设置在第一反射镜和第二反射镜之间的有源区、设置在第一和第二反射镜之间并包括选择氧化区的电流限制层和无机绝缘膜。台面结构至少包括第二反射镜和电流限制层。无机绝缘膜至少覆盖台面结构的侧表面并具有等于或小于1.5×109达因/cm2的内应力。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供