非易失性半导体存储装置与写入方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510220404.6
IPC分类号：G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26
申请日期：
2015-05-04
申请人：
力晶科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	非易失性半导体存储装置与写入方法
申请号	CN201510220404.6	申请日期	2015-05-04
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2015-11-25	公开/公告号	CN105097033A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/10 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;0;;;G;1;1;C;1;6;/;1;4;;;G;1;1;C;1;6;/;2;6查看分类表>
申请人	力晶科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	力晶积成电子制造股份有限公司	当前权利人	力晶积成电子制造股份有限公司
发明人	马蒂亚斯.Y.G.培尔
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	王珊珊

摘要

本发明涉及一种非易失性半导体存储装置与写入方法。该非易失性半导体存储装置包括控制处理器、写入控制器、电压产生电路以及切换电路。控制处理器用以产生并输出一控制数据并且实施一程序码以写入数据，其中数据包括一字线指定指令以及一电压源指定数据。写入控制器用以解码控制数据并且产生字线指定指令的一控制信号以及电压源指定数据的一控制信号。电压产生电路用以产生写入数据的多个电压。切换电路用以依据字线指定指令的控制信号以及电压源指定数据的控制信号，选择多个电压之中对应电压源指定数据的一电压，并且对应字线指定指令输出选择的电压。

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