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发光二极管及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610064047.X
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L27/15;H01L21/20
  • 申请日期:
    2006-09-22
  • 申请人:
    索尼株式会社
著录项信息
专利名称发光二极管及其制造方法
申请号CN200610064047.X申请日期2006-09-22
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2007-07-04公开/公告号CN1992359
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0查看分类表>
申请人索尼株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人索尼株式会社当前权利人索尼株式会社
发明人大前晓;盐见治典;风田川统之;网隆明;宫嵨孝夫;平松雄司;畑田出穗;冈野展贤;冨谷茂隆;簗嵨克典;日野智公;成井启修
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人张波
摘要
一种制造发光二极管的方法,其包括步骤:提供在其一个主表面上具有多个突起部的异质衬底并且在异质衬底的每个凹入部上经过形成三角形截面的状态,生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层,突起部由与异质衬底不同类型的材料制成,凹入部的底表面为三角形的底;在异质衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层;以及在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上顺序生长第一导电型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和第二导电型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。

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