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溅射装置及溅射成膜方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN02804597.1
  • IPC分类号:C23C14/34G02B5/28
  • 申请日期:
    2002-02-06
  • 申请人:
    旭硝子株式会社
著录项信息
专利名称溅射装置及溅射成膜方法
申请号CN02804597.1申请日期2002-02-06
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2004-04-21公开/公告号CN1491293
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/34IPC分类号C23C14/34;G02B5/28查看分类表>
申请人旭硝子株式会社申请人地址
日*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人AGC株式会社当前权利人AGC株式会社
发明人志堂寺荣治;安藤英一;山田朋广;真下尚洋
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人包于俊
摘要
本发明的溅射装置及溅射成膜方法,是在腔室内设置基板保持架的转盘型溅射装置中,对于形成低折射率膜的应用及形成高折射率膜的应用可分别同时设置常用磁控管及AC磁控管,用AC磁控管成膜达到设计膜厚的90%,然后仅用常用的磁控管成膜,这样能够进行高精度的膜厚控制,生产率高。

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