一种基于多维纳米材料的封装膏体及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010153063.6
IPC分类号：H01B13/00;H01B1/02;B23K37/00;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2020-03-06
申请人：
深圳第三代半导体研究院

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著录项信息

专利名称	一种基于多维纳米材料的封装膏体及其制备方法
申请号	CN202010153063.6	申请日期	2020-03-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-30	公开/公告号	CN111354514A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B13/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B13/00 制造导体或电缆制造的专用设备或方法	IPC分类号	H;0;1;B;1;3;/;0;0;;;H;0;1;B;1;/;0;2;;;B;2;3;K;3;7;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	深圳第三代半导体研究院	申请人地址	广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳第三代半导体研究院	当前权利人	深圳第三代半导体研究院
发明人	唐宏浩;张卫红;黄显机;叶怀宇;张国旗
代理机构	北京华创智道知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	彭随丽

摘要

本发明提供了一种基于纳米材料的封装膏体及其制备方法，所述纳米材料包括至少两种不同维度的纳米金属，包括以下制备步骤：第一步：在第一纳米金属线，和/或第一纳米金属片表面刻蚀孔洞，形成第二纳米金属线，和/或第二纳米金属片，所述孔洞直径为10nm～40nm；第二步:采用第一溶剂清洗第一纳米金属颗粒、第二纳米金属线，和/或第二纳米金属片，得到第二纳米金属颗粒、第三纳米金属线，和/或第三纳米金属片；第三步：混合第二纳米金属颗粒、第三纳米金属线，和/或第三纳米金属片得到第一混合物，将所述第一混合物与第二溶剂混合得到第二混合物；第四步：浓缩处理第二混合物得到封装膏体。该方法，工艺简单执行条件温和，适用于大批量低成本生产。

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