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LED衬底结构及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410835299.2
  • IPC分类号:H01L33/10;H01L33/22;H01L33/00
  • 申请日期:
    2014-12-29
  • 申请人:
    杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
著录项信息
专利名称LED衬底结构及其制作方法
申请号CN201410835299.2申请日期2014-12-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-04-22公开/公告号CN104538520A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/10IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;1;0;;;H;0;1;L;3;3;/;2;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司申请人地址
浙江省杭州市黄姑山路4号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杭州士兰微电子股份有限公司,杭州士兰明芯科技有限公司当前权利人杭州士兰微电子股份有限公司,杭州士兰明芯科技有限公司
发明人张昊翔;丁海生;李东昇;江忠永
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人郑玮
摘要
本发明提供了一种LED衬底结构及其制作方法,在本发明提供的LED衬底结构中,第一GaN结构及第二GaN结构能够增加光的透射,从而可提高倒装LED芯片的出光效率,进而提高倒装LED芯片的发光亮度;第三GaN结构具有聚光作用,从而可提高倒装LED芯片的轴向发光亮度;此外,AlGaN层能够抑制第二GaN结构及第三GaN结构中的缺陷向外延伸,减少后续结构中的缺陷,进一步的,AlGaN层还能够提高倒装LED芯片的抗击穿能力,有利于倒装LED芯片性能及可靠性的提高。在本发明提供的LED衬底结构的制作方法中,工艺简单、可操作性强,适于大规模商业化生产,符合倒装LED芯片未来发展之路。

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