半导体器件及其制造方法

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专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN201410146086.9	申请日期	2014-04-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-01-14	公开/公告号	CN104282756A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	朴玟烨;莱奥内利·达尼埃莱;前田茂伸;吴汉洙;金雄基;李钟赫;郑周燮
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	陈源;张帆

摘要

本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底上的栅极；沿着栅极的侧壁和底表面的栅极绝缘层；以及栅极的两个侧壁上的L形隔离物结构。一种结构将栅极与源极/漏极区之间的距离延伸至栅极的任一侧。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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