n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜光电导型紫外探测器及制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110176236.7
IPC分类号：H01L31/09;H01L31/0296;H01L31/0224;H01L31/18;B82Y30/00
申请日期：
2011-06-28
申请人：
合肥工业大学

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专利名称	n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜光电导型紫外探测器及制备方法
申请号	CN201110176236.7	申请日期	2011-06-28
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-12-14	公开/公告号	CN102280515A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/09 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/09 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件（H01L 31/101优先）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;9;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;9;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人	合肥工业大学	申请人地址	安徽省合肥市屯溪路193号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	合肥工业大学	当前权利人	合肥工业大学
发明人	于永强;揭建胜;蒋阳;朱志峰;江鹏
代理机构	安徽省合肥新安专利代理有限责任公司	代理人	何梅生

摘要

本发明公开了n型掺杂ZnS准一维纳米结构光电导型紫外探测器及制备方法，其特征是紫外探测器自上而下依次由叉指电极，n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜和绝缘衬底迭置而成。本发明紫外探测器以n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜为紫外敏感层，使其只对小于335nm波长光敏感，利用透明叉指电极和纳米结构薄膜增强了受光面积，提高了紫外光响应度，同时使用ZnS做为光敏材料，环保可靠。本发明结构简单，灵敏度高，成本低，易于实现。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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