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阵列型多芯片器件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN99107118.2
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    1999-05-27
  • 申请人:
    塞拉特赫株式会社
著录项信息
专利名称阵列型多芯片器件及其制造方法
申请号CN99107118.2申请日期1999-05-27
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2000-05-17公开/公告号CN1253469
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人塞拉特赫株式会社申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人塞拉特赫株式会社当前权利人塞拉特赫株式会社
发明人安炳俊
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人余刚
摘要
一种阵列型多芯片器件及其制造方法,该方法将许多相同类型的或不同类型的器件制成一个芯片。这种阵列型多芯片器件包括:一个阵列型烧结体,其中排列着许多单元器件并且使每个单元器件的内电极暴露在阵列型烧结体对置的侧表面上;玻璃糊,它们在相邻的单元器件的内电极之间的阵列型烧结体侧表面部分上;导电糊外电极,它们覆盖着位于相邻的玻璃糊之间的烧结体表面上的内电极并与玻璃糊搭接;以及在外电极表面上的镀镍层和焊料层。

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