一种制备磁性隧道结单元阵列的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910517293.3
IPC分类号：H01L43/12;H01L43/08
申请日期：
2019-06-14
申请人：
上海磁宇信息科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种制备磁性隧道结单元阵列的方法
申请号	CN201910517293.3	申请日期	2019-06-14
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-15	公开/公告号	CN112086555A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/12 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;1;2;;;H;0;1;L;4;3;/;0;8查看分类表>
申请人	上海磁宇信息科技有限公司	申请人地址	上海市嘉定区工业区兴顺路558号2幢2层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海磁宇信息科技有限公司	当前权利人	上海磁宇信息科技有限公司
发明人	张云森;郭一民;肖荣福;陈峻
代理机构	上海容慧专利代理事务所（普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种制备磁性隧道结单元阵列的方法，制备磁性隧道结单元阵列的方法，具体步骤如下步骤一、提供表面抛光的带金属连线Mx的CMOS基底；步骤二、在经过平坦化处理之后的CMOS基底上，制作刻蚀之后的底电极通孔；步骤三、沉积BEV和BE沉积金属以形成BEV金属填充和BE金属，并对BE金属进行平坦化处理以使其满足沉积MTJ多层膜的要求；步骤四、在平坦化的BE金属上，沉积磁性隧道结和顶电极，图形化定义磁性隧道结图案，对顶电极、磁性隧道结和BE金属进行刻蚀，并在刻蚀之后的顶电极、磁性隧道结和BE金属的外部周围沉积一层绝缘覆盖层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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