半导体存储装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201080001799.6
IPC分类号：G11C11/417;G11C11/4074;G11C11/41;G11C11/418;H01L21/8244;H01L27/11;H03K19/0185
申请日期：
2010-02-10
申请人：
松下电器产业株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体存储装置
申请号	CN201080001799.6	申请日期	2010-02-10
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-05-11	公开/公告号	CN102057437A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/417 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/41 用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特（Schmitt）触发器〔5〕 G11C11/413 辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的〔5〕 G11C11/417 用于场效应型存储单元的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;1;7;;;G;1;1;C;1;1;/;4;0;7;4;;;G;1;1;C;1;1;/;4;1;;;G;1;1;C;1;1;/;4;1;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;;;H;0;3;K;1;9;/;0;1;8;5查看分类表>
申请人	松下电器产业株式会社	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社索思未来	当前权利人	株式会社索思未来
发明人	蓝原智之;白滨政则;山上由展;车田希总;铃木利一
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汪惠民

摘要

本发明提供一种半导体存储装置，具备：被配置在字线与位线的交点的存储器单元(100)、与位线连接的预充电电路(101)、由写入控制信号控制的列选择电路(102)、和作为写入电路而设置的箝位电路(103A)。箝位电路(103A)具有：将被选择的位线的电位控制在第一电位(例如0V)的晶体管(QN17)、和将该被选择的位线的电位控制在比第一电位低的第二电位(例如负电位)的可变电容元件(C11)。由于采用了可变电容元件(C11)，所以在电源电压变高的情况下，基于元件电容减少，来抑制从第一电位向第二电位的下降量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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