改进的硼掺杂半导体材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN85108824
IPC分类号：--
申请日期：
1985-11-04
申请人：
索冯尼克斯太阳能系统公司

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著录项信息

专利名称	改进的硼掺杂半导体材料及其制备方法
申请号	CN85108824	申请日期	1985-11-04
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	1986-08-06	公开/公告号	CN85108824
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	索冯尼克斯太阳能系统公司	申请人地址	美国俄亥俄州索伦科克伦路6180号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	索冯尼克斯太阳能系统公司	当前权利人	索冯尼克斯太阳能系统公司
发明人	杨志忠;拉尔夫·莫尔;斯蒂芬·赫金斯;安妮特·约翰科克;普雷·内斯
代理机构	中国专利代理有限公司	代理人	陶令霭

摘要

本发明介绍一种改进的P型半导体合金薄膜和采用这种薄膜的光生伏打和光敏器件及其射频和辉光放电制备法。用含硅烷和硼的化合物的辉光放电淀积硅半导体合金薄膜。硼以单原子形式掺入硅基质。这种P型薄膜的特点是稳定、带隙未变窄、体应力降低、形貌和生长状况及附着性得到改进并且减少了剥皮和龟裂。本征层的特点是降低了Staebler—Wronski衰退。在辉光放电中未形成高序硼氢化物和其它硼的聚合物或低聚物。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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