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包含垂直晶体管装置的半导体装置结构、垂直晶体管装置阵列及制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201280041260.2
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2012-08-21
  • 申请人:
    美光科技公司
著录项信息
专利名称包含垂直晶体管装置的半导体装置结构、垂直晶体管装置阵列及制作方法
申请号CN201280041260.2申请日期2012-08-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-04-30公开/公告号CN103765595A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人美光科技公司申请人地址
美国爱达荷州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人美光科技公司当前权利人美光科技公司
发明人古尔特杰·S·桑胡
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人孙宝成
摘要
本发明揭示一种半导体装置结构。所述半导体装置结构包含在衬底上面延伸的台面。所述台面具有在所述台面的第一侧与第二侧之间的沟道区。第一栅极在所述台面的第一侧上,所述第一栅极包括第一栅极绝缘体及第一栅极导体,所述第一栅极导体包括上覆于所述第一栅极绝缘体上的石墨烯。所述栅极导体可包括呈一个或一个以上单层的石墨烯。本发明还揭示一种用于制作所述半导体装置结构的方法;一种包含具有所述所揭示结构的半导体装置的垂直晶体管装置阵列;及一种用于制作所述垂直晶体管装置阵列的方法。

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