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具有复合介质层纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710624384.8
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
  • 申请日期:
    2017-07-27
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称具有复合介质层纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
申请号CN201710624384.8申请日期2017-07-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-01-12公开/公告号CN107579119A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市太白南路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人段宝兴;曹震;师通通;吕建梅;杨银堂
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司代理人胡乐
摘要
本发明提出了一种复合介质层(CompositeDielectricLayer,CDL)纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ‑VDMOS)及其制作方法,该器件主要是在器件栅电极下方漂移区侧壁形成半绝缘多晶硅层(SIPOS)和高介电常数(HighK)介质层组成的复合介质层。器件关断时SIPOS柱与HighK介质层上具有均匀的电场,通过电场调制使得器件的超结漂移区内电场分布均匀。同时,复合介质层和超结共同辅助耗尽超结漂移区,大幅提高了超结漂移区的耗尽能力使得器件的漂移区掺杂浓度增加,降低了器件的导通电阻。器件开启时漂移区的侧壁上具有多数载流子积累层,使得器件的导通电阻进一步降低。

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