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LDMOS器件的源区及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010027292.X
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/265
  • 申请日期:
    2010-01-18
  • 申请人:
    上海华虹NEC电子有限公司
著录项信息
专利名称LDMOS器件的源区及其制造方法
申请号CN201010027292.X申请日期2010-01-18
法律状态暂无申报国家暂无
公开/公告日2011-07-20公开/公告号CN102130165A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人上海华虹NEC电子有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人张帅;戚丽娜
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人陈履忠
摘要
本发明公开了一种LDMOS器件的源区,呈哑铃状,包括矩形的中间区域和多边形的两端区域;所述源区的矩形中间区域沿沟道方向的宽度为a’;所述源区的多边形两端区域沿沟道方向的最小宽度为c’,垂直沟道方向的最小宽度为d’,c’≥a’,d’≥a’。本发明还公开了所述LDMOS的源区的制造方法。本发明将LDMOS器件的源区的两端区域从传统的半圆形变为多边形,这样在制造源区时,就不会出现离子注入的阴影效应,从而有利于提高LDMOS器件的击穿电压。

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