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一种含有原位生成扩散障的复合涂层制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910220252.4
  • IPC分类号:C23C28/02;C25F1/04;C25D3/12
  • 申请日期:
    2009-11-30
  • 申请人:
    中国科学院金属研究所
著录项信息
专利名称一种含有原位生成扩散障的复合涂层制备方法
申请号CN200910220252.4申请日期2009-11-30
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-05-19公开/公告号CN101709470A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C28/02IPC分类号C;2;3;C;2;8;/;0;2;;;C;2;5;F;1;/;0;4;;;C;2;5;D;3;/;1;2查看分类表>
申请人中国科学院金属研究所申请人地址
辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院金属研究所当前权利人中国科学院金属研究所
发明人孙超;马军;姜肃猛;宫骏;李海庆;王维新;刘山川;闻立时
代理机构沈阳科苑专利商标代理有限公司代理人张志伟
摘要
本发明涉及在高温合金基体上制备高温防护复合涂层的技术,具体地说是一种含有原位生成扩散障的复合涂层制备方法,它利用预先沉积的多层膜,结合相关的热处理制度,制备出一种能在高温条件下抑制涂层元素向基体扩散,从而提高涂层使用寿命的复合涂层。本发明的工艺流程是:先对高温合金基体进行预处理;再通过电镀工艺制备一层亚微米级的Re-Ni镀层;完成电镀后处理步骤后,在Re-Ni镀层之上依次沉积一层MCrAlY涂层和一层AlSiY涂层;最后对该多层膜进行相关热处理,在原Re-Ni镀层位置产生扩散障。本发明有效解决了高Re镀层的制备成本问题,通过简单的热处理即获得含有均匀、连续扩散障的复合涂层。

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