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制造半导体器件的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610148471.2
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/522
  • 申请日期:
    2006-11-15
  • 申请人:
    东部电子股份有限公司
著录项信息
专利名称制造半导体器件的方法
申请号CN200610148471.2申请日期2006-11-15
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-05-23公开/公告号CN1967801
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2查看分类表>
申请人东部电子股份有限公司申请人地址
韩国首尔 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东部电子股份有限公司当前权利人东部电子股份有限公司
发明人洪志镐
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人郑小军
摘要
本发明公开了一种能够提高半导体器件的成品率的制造半导体器件的方法。该方法包括以下步骤:制备包含多个导电图案的衬底;在该衬底上形成第一绝缘层和第二绝缘层;通过选择性蚀刻该第一绝缘层和该第二绝缘层形成多个通孔;通过选择性蚀刻该第二绝缘层形成多个沟槽,并使得这些沟槽与通孔相通;以及在通孔和沟槽中形成金属互连。沟槽与位于相邻沟槽之间的绝缘层的宽度比的范围为0.45至0.55。

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