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砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510084937.2
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2005-07-25
  • 申请人:
    中国科学院半导体研究所
著录项信息
专利名称砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法
申请号CN200510084937.2申请日期2005-07-25
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-01-31公开/公告号CN1905217
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人中国科学院半导体研究所申请人地址
北京市海淀区清华东路甲35号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院半导体研究所当前权利人中国科学院半导体研究所
发明人陈诺夫;白一鸣;梁平;王晓晖
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人汤保平
摘要
一种砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法,包括如下步骤:顶电池以半绝缘砷化镓单晶片为衬底;利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延和液相外延生长技术,生长太阳电池外延片;在顶电池的外延片的砷化镓层上面制作正电极;在外延片底层的重掺杂的n型砷化镓层制作顶电池的背电极;底电池以锑化镓单晶片为衬底;在底电池的外延片上面制作正电极,在衬底的下面制作背电极;顶电池与底电池采用机械级联的方式制成机械迭层太阳电池,然后进行封装;利用一支架在电池的正面安装聚光装置、对日跟踪装置,在电池的背面安装冷却装置,完成电池的制作。

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