高氧半导体单晶硅用石英坩埚

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202021817914.4
IPC分类号：C30B15/10
申请日期：
2020-08-27
申请人：
廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司

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专利名称	高氧半导体单晶硅用石英坩埚
申请号	CN202021817914.4	申请日期	2020-08-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/10 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/10 承载熔融液的坩埚或容器〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;1;0查看分类表>
申请人	廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司	申请人地址	河北省廊坊市大厂潮白河工业区二路与福喜二路交叉口变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司	当前权利人	廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司
发明人	贾建亮;贾建恩;孙艳
代理机构	北京志霖恒远知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	杨玉廷

摘要

本实用新型公开了高氧半导体单晶硅用石英坩埚，包括单晶炉，单晶炉内设有坩埚托盘，坩埚托盘内设有坩埚，坩埚托盘与坩埚之间设有定位装置，定位装置包括定位架、定位柱、弧形限位板、调节装置、限位盘和弹簧，坩埚托盘的两侧均固定设有定位架，两个定位架上均设有定位柱，两个定位柱的上端均设有弧形限位板，弧形限位板为倒L形，两个弧形限位板之间设有坩埚，定位柱与弧形限位板之间通过调节装置连接，定位柱的底端贯穿定位架，定位柱的底端设有限位盘，定位柱上套设有弹簧，弹簧设置在定位架与限位盘之间。本实用新型通过坩埚托盘配合定位装置的设置，方便对不同直径、不同高度坩埚进行固定，方便对单晶硅进行生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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