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光子晶体光纤电流磁场传感器及其制备和测量方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310342658.6
  • IPC分类号:G01R19/00
  • 申请日期:
    2013-08-07
  • 申请人:
    南京大学
著录项信息
专利名称光子晶体光纤电流磁场传感器及其制备和测量方法
申请号CN201310342658.6申请日期2013-08-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-11-27公开/公告号CN103412175A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01R19/00IPC分类号G;0;1;R;1;9;/;0;0查看分类表>
申请人南京大学申请人地址
江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京大学当前权利人南京大学
发明人徐飞;邱孙杰;陆延青;胡伟
代理机构南京知识律师事务所代理人李媛媛
摘要
本发明公开了一种光子晶体光纤电流磁场传感器及其制备和测量方法。制备时先将两段单模光纤中间熔接一小段光子晶体光纤,由于熔接时光子晶体光纤部分空气孔洞塌缩,因而当光传到光子晶体光纤时会激发出芯模和包层模传输形成模式干涉;然后将光子晶体光纤、单模光纤和电线伸直,将两段单模光纤粘在电线上,电线固定在夹具上制成一个电流磁场传感器。测量时将电线上通入直流电,与电线垂直方向加上磁场,因此由于安培力的作用电线会带动光子晶体光纤发生弯曲。由于光子晶体光纤包层模对弯曲十分敏感,因而光谱仪上检测的干涉条纹会随外加电流磁场的变化发生明显的改变,从而实现对电流磁场的传感检测。

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