半导体装置的制造方法及半导体装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202010175930.6
IPC分类号：H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495;H01L25/07
申请日期：
2020-03-13
申请人：
三菱电机株式会社

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著录项信息

专利名称	半导体装置的制造方法及半导体装置
申请号	CN202010175930.6	申请日期	2020-03-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-29	公开/公告号	CN111725075A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/48 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;5;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7查看分类表>
申请人	三菱电机株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱电机株式会社	当前权利人	三菱电机株式会社
发明人	横山脩平;杉町诚也;长谷川真纪;山口公辅;柴田祥吾
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	何立波;张天舒

摘要

本发明目的是提供可提高向基板的安装性的半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有以下工序(a)准备引线框(9)，引线框具有与2个端子连接的功率芯片用管芯焊盘(12)、与1个端子连接的控制元件用管芯焊盘(13)和将包含2个端子在内的多个端子间连结的系杆部(14、15)；(b)将功率芯片(2)及续流二极管(3)载置于功率芯片用管芯焊盘(12)，将IC(10、11)载置于控制元件用管芯焊盘(13)；(c)以系杆部(14、15)露出至外部且包含2个端子以及1个端子在内的多个端子凸出至外侧的方式通过模塑树脂(8)进行封装；以及(d)以保留将2个端子连结的系杆部(14)的方式去除系杆部(14、15)。

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