一种双极型晶体管电流放大系数测量方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010164895.4
IPC分类号：G01R31/26;G01R1/067
申请日期：
2010-04-29
申请人：
上海宏力半导体制造有限公司

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专利名称	一种双极型晶体管电流放大系数测量方法
申请号	CN201010164895.4	申请日期	2010-04-29
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2010-09-08	公开/公告号	CN101825681A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/26 单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）〔2，2014.01〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;6;;;G;0;1;R;1;/;0;6;7查看分类表>
申请人	上海宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	韦敏侠
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑玮

摘要

本发明提供一种双极型晶体管电流放大系数测量方法，在探针卡上的探针中选取用于测试的测试探针；将所述测试探针与测试机连接，通过导线将所述探针卡上每个相同测试探针所对应的探针连接点和测试机连接点连接，所述导线直线连接所述探针连接点和所述测试机连接点，无交错缠绕；将所述测试探针接触所述双极型晶体管的发射极和集电极；通过所述测试机和探针卡向所述双极型晶体管的发射极E和集电极C施加电压，所述测试机实时测得在施加于发射极E的各个电压值下的发射极电流IE、集电极电流IC和基极电流IB，通过得到的集电极电流IC和基极电流IB得到电流放大系数β。本发明方法可准确测量到电流放大系数较大的双极型晶体管的电流放大系数值。

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