一种Co零维单分子磁体材料和制备方法及其应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201310744435.2
IPC分类号：H01F1/42;C07D233/64
申请日期：
2013-12-30
申请人：
北京工业大学

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专利名称	一种Co零维单分子磁体材料和制备方法及其应用
申请号	CN201310744435.2	申请日期	2013-12-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-04-09	公开/公告号	CN103714932A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F1/42 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F1/00 按所用磁性材料区分的磁体或磁性物体；磁性材料的选择 H01F1/42 有机材料的或有机磁性材料的（H01F 1/44优先）〔6〕	IPC分类号	H;0;1;F;1;/;4;2;;;C;0;7;D;2;3;3;/;6;4查看分类表>
申请人	北京工业大学	申请人地址	北京市朝阳区平乐园100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京工业大学	当前权利人	北京工业大学
发明人	谢亚勃;郑海洋;李建荣
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	张慧

摘要

一种Co零维单分子磁体材料和制备方法及其应用，属于分子基材料技术领域。化学式为[Co2(L)3(NO3)]2·(NO3)2，其中L为有机配体2-乙基-4,5-二羟甲基咪唑。在封闭状态下，有机配体L，与硝酸钴在乙醇或甲醇中经由热反应得到零维单分子磁体材料的晶体；其中所述的有机配体L与硝酸钴的摩尔比为（0.5～3）:1，每0.1毫摩尔的有机配体L对应2-4mL的乙醇或甲醇。此单分子磁体锰离子间存在较大的反铁磁耦合作用，可用作分子基磁性材料。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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