薄膜层厚度的测量方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011482840.8
IPC分类号：G01B15/02;G01N23/2273
申请日期：
2020-12-16
申请人：
长江存储科技有限责任公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	薄膜层厚度的测量方法
申请号	CN202011482840.8	申请日期	2020-12-16
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-23	公开/公告号	CN112697080A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01B15/02 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01B 长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量 G01B15/00 以采用波或粒子辐射为特征的计量设备（G01B 9/00，G01B 11/00优先）〔4〕 G01B15/02 用于计量厚度	IPC分类号	G;0;1;B;1;5;/;0;2;;;G;0;1;N;2;3;/;2;2;7;3查看分类表>
申请人	长江存储科技有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长江存储科技有限责任公司	当前权利人	长江存储科技有限责任公司
发明人	张硕;周璐
代理机构	上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	孙佳胤;高翠花

摘要

本发明提供一种薄膜层厚度的测量方法，薄膜层形成在基底上，方法包括如下步骤：提供基准参数，基准参数是在基底上形成薄膜层之前对基底采用X射线光电子能谱分析而获得的特定元素的特征峰数据；对薄膜层采用X射线光电子能谱分析，以获得特定元素的特征峰数据，作为测量数据；建立测量数据与基准参数的函数；提供数据库，数据库包括在基底上形成薄膜层前后的特定元素的特征峰数据的函数与薄膜层厚度的对应关系；以函数作为索引，在数据库中获得薄膜层的厚度。本发明测量方法能够在基底与薄膜层之间不具有明显界面的情况下，测量薄膜层的厚度，且测量准确度高，无线上排货限制，并从物理层面上隔绝了目标薄膜层之下的多层厚膜对量测带来的干扰。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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