一种超薄复合通行卡及用于无线充电的自保护电路

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201420164104.1
IPC分类号：H02J7/00
申请日期：
2014-04-04
申请人：
深圳市金溢科技股份有限公司

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专利名称	一种超薄复合通行卡及用于无线充电的自保护电路
申请号	CN201420164104.1	申请日期	2014-04-04
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02J7/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02J 供电或配电的电路装置或系统；电能存储系统（用于测量X射线、γ射线、微粒子射线或宇宙射线设备的供电电路入G01T 1/175；专用于具有不动件的电子时钟的供电电路入G04G 19/00；用于数字计算机的入G06F 1/18；用于放电管的入H01J 37/248；电能转换用电路或设备，这种电路或设备的控制装置或调整装置入H02M；数个电机的相关控制，原动机/发电机组的控制入H02P；高频电力的控制入H03L；用以传输信息的电力线路或电力网附加用途入H04B） H02J7/00 用于电池组的充电或去极化或用于由电池组向负载供电的装置	IPC分类号	H;0;2;J;7;/;0;0查看分类表>
申请人	深圳市金溢科技股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区科苑路清华信息港研发楼A栋12层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市金溢科技股份有限公司	当前权利人	深圳市金溢科技股份有限公司
发明人	刘宇;庞绍铭
代理机构	深圳市深佳知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王仲凯

摘要

本实用新型涉及一种超薄复合通行卡及用于无线充电的自保护电路，复合通行卡包括：电池，自保护电路及负载电路；自保护电路和电池相连，用于根据触发信号断开或闭合，以控制电池对负载电路供电；自保护电路包括一个N型金属氧化层半导体场效晶体管MOSFET和一个P型MOSFET，N型MOSFET的栅极为触发信号的输入端，源极接地，漏极和P型MOSFET的栅极连接，P型MOSFET的源极和电池连接，漏极与负载电路连接。本实用新型实施例公开的复合通行卡能够有效地减少漏电，避免不必要的电量消耗。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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