存储器件及存储设备

发明专利有效专利

申请号：
CN201310231154.7
IPC分类号：G11C13/00
申请日期：
2013-06-09
申请人：
索尼公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	存储器件及存储设备
申请号	CN201310231154.7	申请日期	2013-06-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-01-15	公开/公告号	CN103514948A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C13/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C13/00 特征在于使用不包括在G11C 11/00，G11C 23/00或G11C 25/00各组内的存储元件的数字存储器	IPC分类号	G;1;1;C;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	索尼公司	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	索尼半导体解决方案公司	当前权利人	索尼半导体解决方案公司
发明人	清宏彰;大场和博;曾根威之;五十岚実
代理机构	北京信慧永光知识产权代理有限责任公司	代理人	褚海英;陈桂香

摘要

本发明期望提供能够减小多个器件之间的电导值偏差的一种存储器件及包括所述存储器件的存储设备，所述存储器件包括：第一电极；存储层，包括离子源层；以及第二电极。所述第一电极、所述存储层及所述第二电极依次设置。所述离子源层包含可移动元素，并具有约150mΩ·cm～约12000mΩ·cm（包括端值）的体积电阻率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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