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一种磁场传感器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410228102.9
  • IPC分类号:G01V3/10
  • 申请日期:
    2014-05-27
  • 申请人:
    中国科学院电子学研究所
著录项信息
专利名称一种磁场传感器
申请号CN201410228102.9申请日期2014-05-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-08-06公开/公告号CN103969690A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01V3/10IPC分类号G;0;1;V;3;/;1;0查看分类表>
申请人中国科学院电子学研究所申请人地址
北京市海淀区北四环西路19号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院电子学研究所当前权利人中国科学院电子学研究所
发明人刘凯;朱万华;闫彬;刘雷松;方广有
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人宋焰琴
摘要
本发明公开了一种磁场传感器,其包括:壳体,其为筒状结构;中空骨架,其为中空柱体,外表面等间隔分布多个相同的环状凹槽;分段磁芯,其置于所述中空骨架的中空部分,由多段等长的磁芯材料连接而成;多节线圈,分别缠绕于所述中空骨架的环状凹槽内,且多节线圈串联连接至放大电路;放大电路,置于所述壳体内部一端,用于放大输出所述多节线圈的感应信号。本发明充分扩展了工作频带,有效减小传感器对测量磁场的影响,且能屏蔽周围环境的电场干扰,确保测量磁场信号的准确性。本发明的磁场传感器体积小,重量轻,能够有效应用于地面TEM的工程应用中。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供