一种抛光方法和化学机械抛光设备

发明专利有效专利

申请号：
CN202211263753.2
IPC分类号：B24B37/10;B24B37/00;B24B49/02;H01L21/02;H01L21/66;G06F17/10
申请日期：
2022-10-17
申请人：
华海清科股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种抛光方法和化学机械抛光设备
申请号	CN202211263753.2	申请日期	2022-10-17
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-11-11	公开/公告号	CN115319637A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B24B37/10 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B24 磨削；抛光 B24B 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F 3/00）；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给 B24B37/00 研磨机床或装置；附件（B24B 3/00优先） B24B37/04 适用于加工平面的〔1，2012.01〕 B24B37/07 以工件或研具的运动为特征〔2012.01〕 B24B37/10 用于单侧研磨〔2012.01〕	IPC分类号	B;2;4;B;3;7;/;1;0;;;B;2;4;B;3;7;/;0;0;;;B;2;4;B;4;9;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;G;0;6;F;1;7;/;1;0查看分类表>
申请人	华海清科股份有限公司	申请人地址	天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华海清科股份有限公司	当前权利人	华海清科股份有限公司
发明人	赵德文;倪孟骐;刘远航
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种抛光方法和化学机械抛光设备，其中抛光方法包括晶圆完成磨削后，测量晶圆CMP之前的厚度的前值形貌，根据损伤层厚度确定去除损伤层之后的厚度的上限形貌，其中，所述上限形貌为前值形貌减去损伤层厚度；如果预存的参考厚度落在前值形貌和上限形貌之间，则基于使平整度和抛光效率最优的约束条件重新计算厚度的目标形貌，其中，所述目标形貌限定在上限形貌和下限厚度之间，所述下限厚度为制程要求的晶圆最薄厚度；如果所述参考厚度落在上限形貌和下限厚度之间，则直接将参考厚度作为目标形貌；按照所述目标形貌调整抛光压力执行抛光。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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