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倾斜式生长形貌可控的纳米发光柱状薄膜的方法及装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910077117.9
  • IPC分类号:C23C14/24
  • 申请日期:
    2009-01-16
  • 申请人:
    北京交通大学
著录项信息
专利名称倾斜式生长形貌可控的纳米发光柱状薄膜的方法及装置
申请号CN200910077117.9申请日期2009-01-16
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-06-24公开/公告号CN101463464
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/24IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;2;4查看分类表>
申请人北京交通大学申请人地址
北京市海淀区西直门外上园村3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京交通大学当前权利人北京交通大学
发明人张福俊;徐征;卢丽芳;赵谡玲;王永生
代理机构暂无代理人暂无
摘要
倾斜式生长形貌可控的纳米发光柱状薄膜的方法及装置,该装置包括:蒸发源(6)、衬底支架(2)、红外灯(9)及真空腔(7);衬底支架(2)垂直于电机轴固定于电机轴端上;真空电机支架(3)固定于真空腔(7)的顶上,真空电机(1)与真空电机支架(3)连接,按蒸发粒子流(5)与衬底(4)法线夹角0~90度,通过锁栓(8)固定真空电机支架(3)上。纳米发光柱状薄膜的方法,启动真空电机(1),使衬底支架旋转速度每分钟1~3转;给红外灯通电,给衬底加热到100~200摄氏度;发光材料的蒸发速率在0.1~0.2nm/s,制备的纳米发光柱状薄膜的厚度为100~300nm。用于光电子器件中作为功能层。

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