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具有多个端子的半导体器件的隔离结构

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200780016662.6
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/40;H01L29/06;H01L27/088;H01L21/336;H01L21/8234
  • 申请日期:
    2007-05-02
  • 申请人:
    NXP股份有限公司
著录项信息
专利名称具有多个端子的半导体器件的隔离结构
申请号CN200780016662.6申请日期2007-05-02
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2009-05-20公开/公告号CN101438414
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;0;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4查看分类表>
申请人NXP股份有限公司申请人地址
荷兰艾恩德霍芬 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人NXP股份有限公司当前权利人NXP股份有限公司
发明人马克·A·高伊道;伊恩·肯尼迪;亚当·R·布朗;詹姆斯·B·帕金
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人朱进桂
摘要
一种具有第一区域(10)和第二区域(20)的半导体器件,在所述第一和第二区域中形成栅极沟道(50),所述栅极沟道包括绝缘栅,用于控制源区(42)通过体区至公共漏区(40)的传导,所述体区被划分为第一(34)和第二(36)体区。通过在第一和第二体区(34、36)之间配备由例如至少一条沟道(52)或漏区的一部分形成的间隙这种简单的方式,提供所述第一和第二区域之间的隔离。

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