一种磨损均衡的可变数据页宽度的FLASH读写方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110964225.9
IPC分类号：G11C16/06
申请日期：
2021-08-22
申请人：
南京泰立瑞信息科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种磨损均衡的可变数据页宽度的FLASH读写方法
申请号	CN202110964225.9	申请日期	2021-08-22
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-23	公开/公告号	CN113689909A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;6查看分类表>
申请人	南京泰立瑞信息科技有限公司	申请人地址	江苏省南京市雨花台区软件大道180号A3栋701 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京泰立瑞信息科技有限公司	当前权利人	南京泰立瑞信息科技有限公司
发明人	马朔昕;邰元;王坦
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种FLASH存储器数据结构及其读写方法，包括动态适应写入数据块的页数，将数据循环写入存储空间中的不同区域且在每个循环后将之平移一定位移量。平移的基准是上一个当前页号之后、上个循环之中最近的写入起始页号，因此位移量随循环变化、同时实现相较上个循环中的一个数据块进行了页号偏移，两者写入的数据块内容大部分重叠而无需更改、少部分错开而避免了集中写入某些地址而过多损耗寿命。上述方法解决了一些应用中写入的少部分数据频繁变化，多数数据通常为0、仅偶尔变化，如此数据特性造成的FLASH存储单元寿命磨损不平均的问题，在保证空间使用效率的同时延长FLASH存储器的使用寿命。

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