掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池及制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110145915.8
IPC分类号：H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/04;H01L31/18
申请日期：
2011-06-01
申请人：
奥特斯维能源（太仓）有限公司

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专利名称	掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池及制备方法
申请号	CN201110145915.8	申请日期	2011-06-01
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-09-21	公开/公告号	CN102194897A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0216 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕 H01L31/0216 涂层（H01L31/041优先）〔5，2014.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	奥特斯维能源（太仓）有限公司	申请人地址	江苏省苏州市太仓市太仓港港口开发区平江路88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	奥特斯维能源（太仓）有限公司	当前权利人	奥特斯维能源（太仓）有限公司
发明人	李晓强;邢国强;陶龙忠;姜庆堂;夏正月;杨灼坚;高艳涛;董经兵;宋文涛
代理机构	南京苏高专利商标事务所（普通合伙）	代理人	柏尚春

摘要

本发明公开了一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池，该电池采用P型硅为基体，P型硅基体的前表面上有磷扩散层，磷扩散层上覆有SiNx或SiOx减反射钝化膜，减反射钝化膜上有正面Ag电极，正面Ag电极底面通过烧结烧穿钝化膜后与磷扩散层接触；P型硅基体的背面覆有p型掺杂SiCx钝化膜，p型掺杂SiCx钝化膜开槽并制作背面Al电极，背面Al电极在背面开槽处与P型硅基体形成接触。本发明还公开了上述电池的制备方法。本发明将掺杂的SiCx薄膜应用于高效太阳电池，通过控制SiCx膜层的掺杂类型及浓度，使p型硅片基体背面诱导形成背表面场，利用其优良的钝化特性以及诱导背场的作用来提高电池效率。

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