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低镉纳米晶体量子点异质结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201680057062.3
IPC分类号：H01L29/06;H01L29/41;H01L29/12;H01L29/15
申请日期：
2016-08-01
申请人：
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	低镉纳米晶体量子点异质结构
申请号	CN201680057062.3	申请日期	2016-08-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-08-31	公开/公告号	CN108475694A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/06 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;;;H;0;1;L;2;9;/;1;2;;;H;0;1;L;2;9;/;1;5查看分类表>
申请人	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司	申请人地址	德国雷根斯堡变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司	当前权利人	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人	Y.高希;J.N.柯丁
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	麦振声;杨戬

摘要

一种半导体结构具有包含第一半导体材料的纳米晶体芯，和包含第二不同半导体材料、至少部分围绕纳米晶体芯的纳米晶体壳。芯和壳之一而非二者基于含镉半导体材料。

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