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一种纳米晶/量子点敏化硅基电池片及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210189397.4
  • IPC分类号:H01L31/0352;H01L31/18
  • 申请日期:
    2012-06-08
  • 申请人:
    上海师范大学
著录项信息
专利名称一种纳米晶/量子点敏化硅基电池片及其制备方法
申请号CN201210189397.4申请日期2012-06-08
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2012-10-03公开/公告号CN102709348A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0352IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人上海师范大学申请人地址
上海市徐汇区桂林路100号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海师范大学当前权利人上海师范大学
发明人余锡宾;夏玉胜;浦旭鑫;冯吴亮
代理机构上海伯瑞杰知识产权代理有限公司代理人吴瑾瑜
摘要
本发明公开了一种纳米晶/量子点敏化硅基片太阳能电池及其制备方法,通过喷涂、旋涂、印刷等方法在硅基电池片上涂覆纳米晶/量子点。本发明提供的纳米晶/量子点敏化硅基片太阳能电池具有太阳光的吸收率和光电转化效率高、反射率低的优点,与原硅基电池片相比,开路电压增大5%~15%,光电流密度及光电转换效率增加10~60%左右;另外本发明中纳米晶/量子点作为钝化及减反射层可以代替SiN而降低成本,同时具有工艺简便,反应时间短的优点,容易大规模化生产和应用。

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