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氧化铝基板

发明专利有效专利

申请号：
CN201580042856.8
IPC分类号：C30B29/38;C30B19/12;C30B25/18
申请日期：
2015-08-06
申请人：
TDK株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	氧化铝基板
申请号	CN201580042856.8	申请日期	2015-08-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-05-10	公开/公告号	CN106661762A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/38 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/38 氮化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;8;;;C;3;0;B;1;9;/;1;2;;;C;3;0;B;2;5;/;1;8查看分类表>
申请人	TDK株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	TDK株式会社	当前权利人	TDK株式会社
发明人	山泽和人;大井户敦;川崎克己
代理机构	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人	杨琦;伍飏

摘要

本发明涉及氧化铝基板。本发明的目的在于提供一种在将AlN结晶等制作于氧化钠基板上时能够制作出更高质量的结晶那样AlN层的翘曲被减小的氧化铝基板。通过在氧化铝基板表面形成包含碳含有相的AlN层从而缓和对AlN层的应力，能够减小翘曲。

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