一种先进的多孔高分子纳米片及其制备方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202110216995.5
IPC分类号：H01M10/052;H01M4/62;H01M4/58;H01M4/38;H01M4/36;H01M4/136;B82Y40/00;B82Y30/00
申请日期：
2021-02-26
申请人：
中山大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种先进的多孔高分子纳米片及其制备方法和应用
申请号	CN202110216995.5	申请日期	2021-02-26
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-25	公开/公告号	CN113036208A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M10/052 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M10/00 二次电池；及其制造〔2〕 H01M10/05 非水电解质蓄电池（H01M 10/39优先）〔2010.01〕 H01M10/052 锂蓄电池〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;;;H;0;1;M;4;/;6;2;;;H;0;1;M;4;/;5;8;;;H;0;1;M;4;/;3;8;;;H;0;1;M;4;/;3;6;;;H;0;1;M;4;/;1;3;6;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人	中山大学	申请人地址	广东省广州市海珠区新港西路135号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中山大学	当前权利人	中山大学
发明人	吴丁财;吴金伦;刘绍鸿;崔印
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	宫爱鹏

摘要

本发明公开了一种先进的多孔高分子纳米片及其制备方法和应用，本发明在零维二氧化硅和二维石墨烯表面上，利用高分子表面接枝技术制备了零维二氧化硅分子刷和二维石墨烯分子刷，通过两者的交联诱导共组装反应并刻蚀二氧化硅后，得到多孔高分子纳米片。制得的纳米片表面上均匀分布着大量具有层次孔结构的聚合物纳米球，可在锂硫电池充放电过程中为硫活性物质的转化中的体积变化提供足够的缓冲空间；同时石墨烯作为纳米片的导电主干能促进电荷的快速转移，提高电极的导电性。交联诱导共组装策略能够在多孔高分子骨架中产生大量的强极性基团，能有效地抑制多硫化物的扩散和损失。该纳米片用于锂硫电池正极材料时展现出优异的倍率和循环性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供