一种微纳尺度的图形绘制方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710994011.X
IPC分类号：B81C3/00;B81C1/00
申请日期：
2017-10-23
申请人：
首都师范大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种微纳尺度的图形绘制方法
申请号	CN201710994011.X	申请日期	2017-10-23
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2018-02-27	公开/公告号	CN107739021A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C3/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C3/00 从单独处理过的部件组装装置或系统〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;3;/;0;0;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	首都师范大学	申请人地址	北京市海淀区西三环北路105号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	首都师范大学	当前权利人	首都师范大学
发明人	张利胜;李新娟;刘彦齐;王培杰;方炎;李志鹏
代理机构	北京汇智胜知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	石辉

摘要

本发明公开了一种微纳尺度的图形绘制方法，包括：通过磁控溅射仪在纳米尺度的针尖上溅射贵金属包覆层；通过磁控溅射仪在硅片上溅射贵金属薄膜作为基底，或者以单层石墨烯作为基底；在所述基底上吸附光敏分子，然后置于载物台上；固定所述针尖，调节激光器的入射激光，使所述入射激光照射在所述针尖尖端，利用针尖产生的局域表面等离激元，作用于光敏分子生成反应物，通过载物台调节光敏分子的位置，从而较好地控制光敏分子的反应物形成微纳尺度的图形的形状和过程。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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