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包括光提取改型的发光二极管及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200911000311.3
  • IPC分类号:H01L33/20
  • 申请日期:
    2002-02-01
  • 申请人:
    克里公司
著录项信息
专利名称包括光提取改型的发光二极管及其制作方法
申请号CN200911000311.3申请日期2002-02-01
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-02-16公开/公告号CN101976717A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/20IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;2;0查看分类表>
申请人克里公司申请人地址
美国北卡罗来纳州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人克里公司当前权利人克里公司
发明人D·B·小斯拉特;R·C·格拉斯;C·M·斯沃波达;B·凯勒;J·伊贝特森;B·蒂贝奥尔特;E·J·塔萨
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人李娜;王忠忠
摘要
发光二极管包括一个有第一和第二相对面的衬底,该衬底对预定波长范围内的光辐射是透明的,并被构图以在横截面内确定从第一面向第二面伸展进入衬底的多个支座。第二面上的二极管区这样设定:当在二极管区施加电压时,发射预定波长范围内的光进入衬底。在二极管区上、与衬底相对的安装支架被配置成支持二极管区,使得当在二极管区施加电压时,从二极管区发射进入衬底的光是从第一面发出。衬底的第一面可以包括在衬底内确定多个三角形支座的多个槽。槽可以包括锥形侧壁和/或斜面的底层。衬底的第一面也可以包括通孔阵列。通孔可以包括锥形侧壁和/或底层。

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