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电子器件封装

发明专利有效专利

申请号：
CN201680091259.9
IPC分类号：H01L21/56;H01L23/498;H01L23/538;H01L25/065;H01L25/16;H01L25/18
申请日期：
2016-12-31
申请人：
英特尔公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	电子器件封装
申请号	CN201680091259.9	申请日期	2016-12-31
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-23	公开/公告号	CN110050332A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/56 封装，例如密封层、涂层〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;8;;;H;0;1;L;2;5;/;0;6;5;;;H;0;1;L;2;5;/;1;6;;;H;0;1;L;2;5;/;1;8查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	Z.丁;B.刘;Y.佘;H.I.金
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	郑瑾彤;刘春元

摘要

公开了电子器件封装技术。根据本公开的电子器件封装可以包括电子组件、再分布层和电耦合再分布层与电子组件的中介层。中介层可以在顶侧上具有电耦合到电子组件的互连接口，并且在底侧上具有电耦合到再分布层的互连接口。顶侧上的互连接口的密度可以大于底侧上的互连接口的密度。还公开了相关系统和方法。

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