黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910058228.5
IPC分类号：B28D5/00
申请日期：
2009-01-22
申请人：
四川大学

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专利名称	黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法
申请号	CN200910058228.5	申请日期	2009-01-22
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-07-22	公开/公告号	CN101486231
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B28D5/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B28 加工水泥、黏土或石料 B28D 加工石头或类似石头的材料（采矿或采石用的机械或方法入E21C） B28D5/00 宝石、宝石饰物、结晶体的精细加工，例如半导体材料的精加工；所用设备（磨削或抛光加工入B24；用于艺术目的加工入B44B；用非机械方法的入C04B 41/00；单晶的非机械方法后处理入C30B 33/00）〔3〕	IPC分类号	B;2;8;D;5;/;0;0查看分类表>
申请人	四川大学	申请人地址	四川省成都市双流县川大路四川大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	四川大学	当前权利人	四川大学
发明人	赵北君;朱世富;何知宇;陈宝军
代理机构	成都科海专利事务有限责任公司	代理人	黄幼陵

摘要

一种黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法，步骤包括：(1)根据黄铜矿类负单轴晶体解理面{112}和{101}，利用带有吴氏网标尺的晶体标准极图和X射线衍射仪θ-2θ连续扫描确定晶体的C轴方向；(2)将已确定C轴方向的晶体置于切割机上，根据光学元件所需的相位匹配角θm朝远C轴方向转动样品台Δθ后进行切割，获得光学元件初样，Δθ＝θm-θ(112)；(3)将光学元件初样置于X射线衍射仪样品台上，测定光学元件初样切割面的回摆谱，获得衍射峰位值θ′及Δθ′，Δθ′＝|θ′-θ′(112)|；(4)光学元件的精加工，对光学元件初样切割面进行修正，直至Δθ′＝Δθ。

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